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数量:32175 |
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| 规格书 |
 SFH 309 P,PFA |
| 文档 |
Multiple Devices 18/Feb/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 15mA |
| 电流 - 暗（ID）（最大值） | 200nA |
| 波长 | 900nm |
| 可视角度 | 150° |
| 功率 - 最大 | 165mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 取向 | Top View |
| 包/盒 | Radial, T-1 Lens |
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 165 mW |
| 最大暗电流 | 200 nA |
| 封装/外壳 | T-1 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 35 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 150 mV |
| 下降时间 | 6 us |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 6 us |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 类型 | IR Chip |
| 波长 | 900 nm |
| 零件号别名 | Q62702P0246 |
| 寿命 | End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 200nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 15mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| 可视角度 | 150° |
| 功率 - 最大 | 165mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | Radial, T-1 Lens |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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